ESD和EMI防护设计的新挑战

传统的ESD保护或EMI滤波功能是由分立或无源器件解决方案占主导地位，例如，防护ESD的变阻器或防护EMI的基于串联电阻和并联 电容器的PI型滤波结构。手机质量标准的提高和新型IC的高EMI敏感度促使设计人员必须提高手机的抗干扰能力，因此某些方案的技术局限性已显露出来了。

简单比较变阻器和TVS二极管的钳位电压Vcl，就可以理解传统解决方案的局限性。变阻器的钳位电压Vcl(8/20ms@Ipp=10A测试)显示大约 40V，比TVS二极管的Vcl测量值高60%。当必须实施IEC 61000-4-2标准时，要想实现整体系统的稳健性就不能怱视这种差别。除这个内在的电压差问题外，在手机使用寿命期内，随着老化现象的出现，无源器件 解决方案还暴露出电气特性变化的问题。

因此，TVS二极管解决方案在ESD保护市场占据很大的份额，同时集成化的硅解决方案也是EMI滤波器不可或缺的组件。

 手机EMI抗干扰功能

在某情况下，ESD问题并不是工程师要解决的唯一问题。因为手机发射和传送RF信号时，很多电子组件受到RF辐射，因此，必须抑制RF辐射以保护正常的工作。甚至在某些情况下，某些IC自己也会产生RF辐射以及射频干扰。

基本上，很多接口都会容易受到GSM脉冲的攻击，如音频线路或LCD或相机模块，产生能够听见的噪声或可以看见的屏幕抖动。这就是在设计手机时强烈推荐EMI滤波器的原因。

在某种意义上，EMI辐射抑制已成为下一代手机如多频手机或3G手机的关键问题，因为现有解决方案即将达到技术极限。

采用分立的电阻和电容的单一阻容PI型滤波器设计不再是节省空间的解决方案。此外，因为衰减带宽很窄，阻容滤波器的滤波性能极差。对于空间限制极严，工作频率扩大几个频段的多频手机和3G手机，这类滤波器的缺陷明显。

设计师开始关注衰减大和衰减频带宽的低通滤波器，以硅为材料的集成EMI滤波器是适合所有这些需求的滤波器，它表现出极宽的衰减范围，从800MHz到 2GHz或3GHz，S21参数超过30db等。同时，这些滤波器可针对高速数据应用实现低寄生电容结构和超小的PCB空间。

 在手机设计的初始阶段，ESD和EMI问题变得越来越突出，必须根据实际应用选择专门的方法来解决ESD和EMI问题。虽然保护组件本身的性能十分关键，但是布局考虑也有助于提高系统的整体防护性能。